規(guī)格型號(hào)：41212589
頻率：4~54MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：Bomar晶振,B1701-ADDS3-20.000000晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石...

Bomar晶振,B1701-ADDS3-20.000000晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

1988 年，Bomar 開始建立 OEM 客戶群。來自電信、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療、安全、商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的客戶不僅開始使用晶體，還開始使用時(shí)鐘振蕩器、VCXO壓控晶振和 TCXO溫補(bǔ)晶振。為了滿足產(chǎn)品要求的這種變化，我們重新設(shè)計(jì)了制造工藝并增加了新的制造設(shè)備，以生產(chǎn)具有更高頻率、低相位噪聲和低抖動(dòng)的更小封裝的晶體和振蕩器。隨著這些變化和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備的增加，Bomar 的國(guó)內(nèi)制造工廠繼續(xù)提供自 1963 年以來具有相同的快速周轉(zhuǎn)、高可靠性、嚴(yán)格公差和穩(wěn)定性的頻率控制產(chǎn)品。

在 1990 年代初期的強(qiáng)勁增長(zhǎng)時(shí)期，Bomar 與一些精選的亞洲工廠建立了密切的合作關(guān)系，以生產(chǎn)符合 Bomar 規(guī)格的產(chǎn)品。只有在 Bomar 對(duì)其流程和產(chǎn)品進(jìn)行了認(rèn)證后，這些關(guān)系才得以建立。今天，Bomar 擁有大量晶體、時(shí)鐘振蕩器、VCXO 和 TCXO 的低成本來源，繼續(xù)我們 50 年的承諾，即提供在價(jià)格、質(zhì)量和客戶支持方面滿足或超過客戶期望的高性能頻率控制解決方案。
每隔一段時(shí)間Bomar晶振公司就會(huì)更換新的生產(chǎn)設(shè)施和方案,50多年來Bomar Crystal致力于研發(fā)新的型號(hào),關(guān)注市場(chǎng)的動(dòng)態(tài),當(dāng)Bomar壓控晶體振蕩器推出市場(chǎng)后,便受到市場(chǎng)熱烈歡迎,在性能上面做更加出色,價(jià)格相對(duì)合理,使用于電子領(lǐng)域效果大大同時(shí)使得omar晶振公司名氣更加大,在市場(chǎng)占有更大的影響力，銷量一路上漲,達(dá)到史無前例的高度,經(jīng)歷這樣輝煌的發(fā)展,依舊持續(xù)不斷前行的進(jìn)步.SMD晶振,有源晶振,超小型晶振等產(chǎn)品一直在創(chuàng)新中,從未被超越.Bomar晶振,B1701-ADDS3-20.000000晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振.

Frequency Range		4.000 MHz to 54.000 MHz
Supply voltage		1.8V, 2.5V, 3.3V, 5.0V
Supply Current		8mA max.
		2mA max.
Temperature Range	Operating	-20°C to +70°C - Standard -40°C to +85°C - Optional
	Storage	-55°C to +125°C
Frequency Tolerance @ 25°C.		±2.0ppm
Frequency Stability		±1.0 to ±5.0ppm
Output Load		CMOS - 15pF CSW - 10k ohms/10pF
Output Logic		CMOS or Clipped sine wave
Output level		CMOS - VOH=.8VDDmin., VOL=.2VDDmax., CSW - 0.8VP-P min
Pullability(VCTCXO option)		±3ppm to ±20ppm
Control voltage		0.4 to 2.4V
Aging		±1ppm/year max.
Phase Noise @ 19.200 MHz
100Hz		115dBc/Hz
1kHz		-135dBc/Hz
10kHz		-148dBc/Hz

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑.Bomar晶振,B1701-ADDS3-20.000000晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振.

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