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低損耗的愛普生SPXO振蕩器X1G005601036800

來源:http://www.southsidecondovip.com 作者:lzf 2022年09月01
低損耗的愛普生SPXO振蕩器X1G005601036800,愛普生公司作為日系知名晶振品牌制造商,通過自身的努力,開發(fā)出許多優(yōu)質(zhì)的振蕩器,其中包含這款SG-8018系列是可編程晶體振蕩器系列CMOS輸出。SPXO振蕩器,編碼X1G005601036800,這個系列提供了頻率和其他參數(shù)的可編程性SG-8002/SG-8003系列,它們也具有更廣泛的工作溫度范圍,最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封裝,將使電子制造商節(jié)省板空間,該振蕩器也將在以下流行的封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振蕩器的頻率容忍度約為66%比同類產(chǎn)品低50%的電流消耗,適用范圍廣環(huán)境條件。這也將大大有助于性能,更低的功率要求,快速開發(fā)周期和低量生產(chǎn)。
低損耗的愛普生SPXO振蕩器X1G005601036800,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要..
Product Number 愛普生晶振型號 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol. I [Max]
X1G005601035000 SG-8018CG 24.519000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035100 SG-8018CG 32.674000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035200 SG-8018CG 25.629200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035300 SG-8018CG 54.229000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035400 SG-8018CG 22.989500 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035500 SG-8018CG 66.666600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035600 SG-8018CG 74.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035700 SG-8018CG 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601035900 SG-8018CG 28.636300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036000 SG-8018CG 29.491200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036100 SG-8018CG 39.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036200 SG-8018CG 27.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036300 SG-8018CG 11.289000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601036400 SG-8018CG 24.519000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036500 SG-8018CG 32.674000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036600 SG-8018CG 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005601036700 SG-8018CG 36.700000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036800 SG-8018CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036900 SG-8018CG 7.690000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601037000 SG-8018CG 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
石英晶振蕩器體是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板,構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應。 當在晶片外部的兩個板之間添加電場時,晶體將產(chǎn)生機械變形; 相反,當在板之間施加機械力時,將在晶體中產(chǎn)生電場。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應。

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