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- 規(guī)格型號(hào)：24531592
- 頻率：13~110MHZ,35~220MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振,Pletronics晶振公司發(fā)展史：1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器等...
Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振
航欄(10).jpg)
Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振,Pletronics晶振公司發(fā)展史：1981年P(guān)letronics晶振公司在韓國建立了一家獨(dú)資工廠
1997年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.
2000年賣掉了韓國工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體
2003年P(guān)letronics晶振公司在韓國和中國合資經(jīng)營
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動(dòng),低電源電壓,低功耗等特點(diǎn).
2005年第一個(gè)合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動(dòng)等特點(diǎn).適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業(yè)建立
2008年為新興技術(shù)發(fā)布了重要的新產(chǎn)品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發(fā)展過程和精密TCXO溫補(bǔ)晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器的初步試生產(chǎn)
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術(shù)
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站, 北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進(jìn)100fs超低抖動(dòng)的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導(dǎo)航溫補(bǔ)晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強(qiáng)TCVCXO壓控溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進(jìn)了50fS超低抖動(dòng)的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）.Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振.
| 型號(hào) | 符號(hào) | LV55F晶振 |
| 輸出規(guī)格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 13~110MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±25×10-6 max,±20×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補(bǔ)償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補(bǔ)償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點(diǎn)電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時(shí)間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時(shí)間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動(dòng)（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動(dòng)（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動(dòng) | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
| 型號(hào) | 符號(hào) | LV55G晶振 |
| 輸出規(guī)格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 35~220MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±25×10-6 max,±20×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補(bǔ)償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補(bǔ)償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點(diǎn)電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時(shí)間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時(shí)間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動(dòng)（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動(dòng)（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動(dòng) | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管進(jìn)口晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用.
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料.
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）.
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英耐高溫晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
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Pletronics晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn). Pletronics晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.Pletronics晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器廢棄物等.
Pletronics晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
Pletronics晶振根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和壓電石英晶體元器件、晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓電石英晶體、有源晶體產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性.
減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振.
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