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    QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768晶振

  • 規(guī)格型號(hào):37827686
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:1.6*1.0mm
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  • 產(chǎn)品描述:QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768晶振,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度...
    QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768晶振,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
    QVS TECH INC已成功提供高品質(zhì)的頻率控制產(chǎn)品超過 15 年。作為位于加利福尼亞州卡爾斯巴德的女性擁有的小型企業(yè)總部,QVS TECH INC 以為我們的客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)和快速交貨而享有盛譽(yù)。
    多年來,QVS TECH INC 與我們通過 ISO9001 認(rèn)證的離岸制造設(shè)施建立了牢固的關(guān)系。這確保了我們能夠始終如一地為我們的客戶提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和業(yè)內(nèi)最短的交貨時(shí)間。
    QVS TECH INC 提供標(biāo)準(zhǔn)頻率和自定義頻率的各種石英晶體、時(shí)鐘振蕩器、VCXO、TCXO和OCXO。這使我們能夠?yàn)榘娦拧y(cè)試和儀器儀表、醫(yī)療和航空航天在內(nèi)的廣泛應(yīng)用和市場(chǎng)提供頻率控制解決方案。我們的工程師隨時(shí)準(zhǔn)備回答您的問題,并為您的應(yīng)用提供設(shè)計(jì)幫助。
    正如我們的名字所暗示的那樣,我們的“質(zhì)量、價(jià)值和服務(wù)”核心原則將不斷引領(lǐng)我們走向更高的卓越水平。通過結(jié)合一流的制造設(shè)施、專門從事晶體和振蕩器領(lǐng)域的管理專業(yè)知識(shí)、非常廣泛的產(chǎn)品線以及卓越的服務(wù)和支持水平,QVS TECH 正在發(fā)展成為頻率控制行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。
    QVS Crystal提供了市場(chǎng)15年的各種標(biāo)準(zhǔn)和定制頻率的QVS貼片石英晶振,QVS晶體振蕩器VCXO晶振,TCXO晶振.這些QVS晶振能夠?yàn)榘娦?測(cè)試和儀器,醫(yī)療和通信設(shè)備等領(lǐng)域.QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768晶振.

Frequency  32.768 KHz
ESR (Equivalent Series Resistance)  90 kΩ Max
Shunt Capacitance (C0)  2.0 pF Max.
Motional Capacitance (CI) 6.5 fF Typ.
Frequency Tolerance @ 25° C ±5ºC  ±20 ppm Standard
Frequency Stability over Temperature Parabolic -0.045 ppm / ° C 2 Typ. Turnover point +25º ±5ºC See Graph Below
Crystal Cut  X-Cut
Load Capacitance 12.5 pF Standard (see table below)
Drive Level  0.1 µW typ, 0.5 µW max
Aging   ±3 ppm Max. / Year Standard
Temperature   
Operating  Standard  -40° C to +85° C  Standard
Storage -55° C to +125° C Standard
     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).QVS晶振,QV3T晶振,QV3T-7XEF12.5-32.768晶振.

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