HC-49S系列石英說明書
來源：http://www.southsidecondovip.com 作者：dgkjly 2012年05月11
應(yīng)用指南
石英晶體根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S．SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機(jī)、電話機(jī)、電子玩具中。
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。
HC-49U/S．SMD晶振為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計(jì)時電子產(chǎn)品如計(jì)時器、電子鐘、計(jì)算器等。
UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動通訊產(chǎn)品中，如BP機(jī)、移動手機(jī)等。
石英晶振主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。
振動模式與頻率關(guān)系
基頻 1～35MHz
3次泛音 10～75MHz
5次泛音 50～150MHz
7次泛音 100～200MHz
9次泛音 150～250MHz
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晶體電阻
對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差,在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。
當(dāng)對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。
負(fù)載電容與頻率牽引
在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶振頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時，則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時。
負(fù)載電容的選擇
晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。
而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激勵電平的影響
一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；
濾波電路中的應(yīng)用
應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購時應(yīng)特別說明。
石英晶體根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S．SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機(jī)、電話機(jī)、電子玩具中。
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。
HC-49U/S．SMD晶振為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計(jì)時電子產(chǎn)品如計(jì)時器、電子鐘、計(jì)算器等。
UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動通訊產(chǎn)品中，如BP機(jī)、移動手機(jī)等。
石英晶振主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。
振動模式與頻率關(guān)系
基頻 1～35MHz
3次泛音 10～75MHz
5次泛音 50～150MHz
7次泛音 100～200MHz
9次泛音 150～250MHz
晶體電阻
對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差,在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。
當(dāng)對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。
負(fù)載電容與頻率牽引
在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶振頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時，則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時。
負(fù)載電容的選擇
晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。
而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激勵電平的影響
一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；
濾波電路中的應(yīng)用
應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購時應(yīng)特別說明。
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